今天关注常识网给各位分享中国首台7纳米光刻机的知识，其中也会对中国大陆唯一一台7nm光刻机分析解答，如果能解决你想了解的...更多中国首台7纳米光刻机的这个问题，以及大家所关心的1977年中国已成功研制光刻机，有时间优势，为何没成为垄断巨头？的内容，欢迎大家继续关注我们提供的精彩分享。

中国首台7纳米光刻机

今天关注常识网给各位分享中国首台7纳米光刻机的知识，其中也会对中国大陆唯一一台7nm光刻机分析解答，如果能解决你想了解的问题，关注本站哦。

国产最先进光刻机

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。

国产最新光刻机多少纳米（中国首台28nm光刻机问世）

;     国产芯中国“芯”!如果没有华为在通信科技领域的异军突起直接威胁到西方发达国家的核心利益，美国也不会如此丧心病狂的用一个国家的力量对付一个企业，当然我们老百姓也不会去关注芯片这个原本属于科技领域的事情。如今在中国的大街小巷和餐馆排挡，要说什么话题最火，那莫过于“华为5G”和“芯片”这两个话题了。

      人们除了惊讶于我国的科技水平居然已经达到了这种地步的时候，也在为我国什么时候才能突破高端芯片的技术封锁而着急。毕竟我们很多人都知道，我国在错过了第一次、第二次工业革命之后，就落后挨打了两百多年的时间，所以每人都都很清楚下一波工业革命的重要性。恰好华为5G的全球领先让我们看到了中国不仅能够赶上第四次工业革命，甚至很大程度上还有引领第四次工业革命的可能，每个人都兴奋不已。

      但是目前，我们不得不认识到我国在半导体集成电路方面还和西方发达国家及企业有着不小的差距。在这个节骨眼上，偏偏美国又开始歇斯底里的打击中国科技企业，企图拖慢整个中国的半导体领域发展进程，因此我们很着急，我国何时才能突破芯片的技术封锁呢?

      当然，着急是不解决任何问题的，如果着急有用的话，还要那些科研工作者和科学家干什么呢?我们一方面在着急的同时，也得清楚的认识到，即便在西方国家合力封锁我国芯片技术的背景下，我国自己的科技企业，还是取得了突破性的研究结果。

      比如我国现有享誉世界的北斗全球定位导航卫星，其中所用的三号芯片现在已经成功的打破了22nm的上限，上海微电子也在当前大背景下加班加点的研制出了能够生产22nm的光刻机。这个消息让全国的科技圈都十分的振奋。

      国产光刻机突破22纳米，差距还很大，为啥科研人员如此兴奋?

      有不明所以的网友会比较好奇，现在全球最顶尖的芯片是5nm制程技术，甚至连3nm制程的也已经在研发设计中，为什么我们才刚刚到22nm就让国内科研人员异常兴奋呢?原因其实很简单，打个比方在你极度饥饿的时候，别说给你一桌山珍海味了，就是给你一个平淡无奇的白面馒头你都能吃的津津有味!

      在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。

      与此同时，西方发达国家的硅基芯片的制造已经接近了物理极限，“摩尔定律”正在逐渐的失效，我国的芯片技术又在不断的突围。此消彼长之下，我国芯片制造能力追平世界领先水平也只是时间问题而已，更何况我国也在同步研究更加具有竞争力的“碳基芯片”，如果一旦研制成功，我们甚至都不需要再依赖光刻机，那么西方国家的封锁手段也会随之土崩瓦解。

      所以，我们不能只是干着急，对于我国的芯片领域发展，还是要充满信心的。

中国的光刻机达到了世界先进水平，但为何生产高端芯片依然困难重重？

;018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。

▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam

Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron

Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)

4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机

该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

▲中科院研发的光刻机镜头

目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，也就是说，目前主要是一些光学等领域的器件。验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。

▲中科院SP光刻机加工的样品

然而，此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机（SP光刻机）的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片，至少以现在的技术不能。

据光电所专家称，该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题，目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能（像一些网媒说的）用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景，很经济。

总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事，说前者弯道超车，就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。

显然，中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平，那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢？且看以下对比。

7纳米芯片量产的意义

意味着中国芯片全面突破美国封锁。

7纳米芯片量产，意味着中国芯片全面突破美国封锁。这是中国半导体产业胜利反击的辉煌一刻，更是中国制造、中国科技打破质疑，登鼎世界之巅的历史性一刻。

7纳米制程不仅适用于PC、平板电脑和智能手机，还能为数据中心、汽车等未来形态的“终端”，以AI等新技术复杂的训练和推理提供助力，5G的到来对芯片质量的需求将越来越高。

无论是现在备受关注的7纳米还是未来的5纳米、3纳米制程，摩尔定律的逐渐失效导致技术持续提升的成本投资会大幅提高，愿意加一把劲儿的参与者，将有机会跻身国际第一梯队。

在这个机遇之窗下，中国芯片自主可控不再是遥不可及的梦想，中国半导体产业正在培养“国家队”，而培育出“国际队”的关键时间点，或许就从现在开始。

中国台湾芯片制造企业台积电在其官方博客上宣布，今年7月，台积电生产了第10亿颗功能完好、没有缺陷的7纳米芯片，实现新里程碑。

芯片从本质上说是一套集成电路，组成单位是晶体管，晶体管的尺寸越小，芯片上能容纳的晶体管数量就越多，制程也就越小。制程越小，在同样面积上集成的电路越复杂，电路的性能就越强，芯片的性能就越好。

这一特点在智能手机上体现得尤为明显。智能手机在追求轻薄的同时，能实现能效的最大化，并且在同等的单位尺寸中可以放入更多的晶体管，就能为手机芯片的运算力提供支持，直接体现到用户端就是更强大的性能。

当制程工艺发展到一定程度时，电路与电路之间的距离缩小到一定程度，就会出现量子隧穿效应，电子之间不可控的不规律运动会影响晶体管性能的发挥。这就意味着制造材料需要进行重新研发，需要充足的资金才能进行更新的工艺制程研发。

其次，实现短距离制程的一个重要工具就是光刻机。7纳米制程在制造层面的实现离不开高性能光刻机的运行，而这种精密仪器制造成本高和制造时间长。

目前世界顶级的光刻机是荷兰的ASML，它几乎垄断了高端领域的光刻机市场，市场份额高达80%以上。ASML新出的极紫外线（EUV）光刻机可用于7纳米制程，价格高达1亿美元。除了ASML，其他光刻机供应商集中在美国和日本。

最后，规模也是影响7纳米制程芯片量产的重要因素。正如台积电在官方博客中多次强调大批量生产一样，芯片生产讲究的是规模效应，前期投入的资金需要通过大量的芯片来平摊巨额的研发成本。同时芯片生产也是一种商业行为，企业追求的是利润，如果没有利润，生意也无法长久。

不管多难，芯片制造工艺的提升都为终端和应用的使用感受带来质的飞跃。过去，只有少数几个应用程序要求尖端的芯片技术，而智能手机的普及提出了更多的需求，将领先的芯片带入了亿万消费者的口袋。

随着云计算和人工智能的兴起，应用程序比以往任何时候都更多，7纳米制程不仅适用于PC、平板电脑和智能手机，还能为数据中心、汽车等未来形态的“终端”，以AI等新技术复杂的训练和推理提供助力，5G的到来对芯片质量的需求将越来越高。

中国的光刻机是什么水平？与世界先进还有多大差距？如何追赶？

中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距。

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。

而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。

2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。

根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。

请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”

也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。

22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破

中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。

华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。

实用更是有很远的路要走。

大家放平心态。

中国首台7纳米光刻机拓展阅读

1977年中国已成功研制光刻机，有时间优势，为何没成为垄断巨头？

众所周知，由于多方面原因的影响，2021年全球迎来了“缺芯时代”，芯片的短缺程度已经达到了30年来最严重的时刻。

而我国由于受到以美国为首的西方国家的联合绞杀，缺芯的情况尤为严重。

中国手机界的领头羊华为，因芯片短缺甚至卖掉了荣耀品牌中心，在美国的针对下，我们似乎显得很被动，难道有着世界加工厂之称的中国，就没有能力自主生产芯片吗？

事实上，中国在芯片设计领域一直处于世界领先水平，就比如说华为的手机芯片，都是我们自行设计后交给台积电代工生产的，其性能有目共睹，并不比美国生产的要差。

那么，既然我国在设计芯片上没有问题，为什么还是被卡住了咽喉呢？其中的关键，就在于一种制造芯片必不可少的机器——光刻机。

其实芯片不过是一块具有精密线路图的硅片，而如何才能将复杂的电路图复刻到硅片上，这就要靠光刻机了。

说起来，光刻机的工作原理与照相机有些类似，在制作芯片时，首先要对硅片进行处理，一般是在上面涂上一层光刻胶，当光刻胶遇到透过模版照射的光线后，暴露在紫外线下的部分，就会发生特殊的变化。

之后再经过填充金属物，去除光刻胶，进行绝缘处理等步骤，一块芯片就制作完成了。

当然，至于这块芯片是否能够达到标准，还要经过精密地检测，要知道，这其中任意一步处理过程，可都是纳米级的，所以光刻机绝对称得上人类高精尖仪器的天花板。

提起世界上最顶尖的光刻机制造商，非荷兰的ASML公司莫属。

这家公司成立于1984年，用了三十多年的时间，几乎垄断了全球高端光刻机市场。

ASML公司的发家史众人皆知，但恐怕很少有人知道，中国早在1977年就拥有了独立制造接触式光刻机的能力，比ASML公司成立的时间还要早上7年。

按说，中国在研制光刻机的时间上，可是比ASML公司有优势的多，可为什么后劲不足，经过数十年的发展，反而难以望其项背了呢？

第二次世界大战结束后，和平和发展成为了国际社会的主题，为了改变中国贫穷落后的局面，跟上世界科技发展的步伐，国家决定成立计算机科研小组，由著名数学家华罗庚担任组长，致力于电子计算机技术的研究和开发。

到了1956年，科研小组取得了巨大成就，我国首次独立制造了第一只晶体三极管，由此刻起，中国正式踏足半导体领域，开启了新的科技时代。

经过众多科学家的不断探索和尝试，中国在半导体领域取得了长足的进步，1965年，在第一只三极管横空出世的9年之后，中国的第一块集成电路在上海问世。

而要制造集成电路，光刻机是必不可少的设备，由此我们不难推断出，早在1965年前后，我国就已经拥有了制造光刻机的能力。

1977年，我国更是制造出了GK-3型半自动光刻机，这在当时绝对是站在了世界前列。

在此后的数年时间里，中国的半导体事业一路高歌猛进，光刻机制造技术也跟着水涨船高。

到了80年代，中国的半导体技术已经达到了世界先进水平，虽然比之美国还略有不足，但也不再是高山仰止。

如果按照这个势头发展下去，中国在光刻机制造方面，虽不敢说赶超美国，但想必差距也不会如此之大。

毕竟在改革开放之前，中国整个半导体产业链都能够自给自足，根本不需要进口。

但随着改革开放的实行，国际市场全面放开，大批外国企业纷纷涌入中国，这样一来，许多国际上先进的设备和技术，我们就可以用钱买到了。

当时绝大多数企业的当家人都算了这样一笔账，如果把投入到科研项目上的资金，拿出来用于购买外国的先进设备，似乎更为划算一些，毕竟当时的中国经济条件有限，与其投入大量资金搞研发，费时费力，生产出来的设备还没有人家先进，不如直接买现成的来用，这样能直接形成经济效益，岂不美哉？

结果很多企业也就没了搞开发的动力，即便有一些企业依然坚持自力更生，但没有足够的资金注入，妄想在光刻机领域更进一步，无异于痴人说梦。

于是从这时起，中国在光刻机领域就陷入了停摆的状态，在随后的30年时间里，几乎没有一点进步。

就当时的国际环境来看，这种“造不如买”的想法，也不能说是错的，毕竟快速发展经济才是中国的第一要务，而且当时美国最大的敌人还是苏联，中国则是美国拉拢的目标。

因此无论是在经济上，还是在技术上，美国非但没有限制我们，还给了我们许多支持。

只不过谁也没料到的是，美中两国的蜜月期会是如此短暂，只经过了十几年时间，美国就翻脸不认人了。

1996年《瓦尔纳协定》的出炉，彻底暴露了美国遏制发展中国家的真实嘴脸。

该协定中规定了两大类清单的禁运内容，包括先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统、各类武器弹药、设备及作战平台。

而中国，便在这禁运名单之内，直到此时，中国才如梦初醒，真切地体会到所谓的国际盟友根本就靠不住，一切只能依靠自己。

有了这个协定，中国再想像过去一样，随时向发达国家购买像光刻机这样的先进设备，就没那么容易了，换句话说，中国能不能买到光刻机，美国说了算。

自《瓦尔纳协定》签署至今，中国还没能购买到哪怕一台高端的光刻机，甚至其中的零件都买不到。

不过在整个90年代，世界上的光刻机技术也陷入了瓶颈，光刻光源卡在了193纳米，20多年毫无进展。

2000年，中国幡然醒悟，光刻机的研发再次受到了国家的重视。

随着越来越多的半导体科研人才从海外归来，2002年3月，国家在上海成立了上海微电子装备有限公司，致力于光刻机技术开发。

也是在这一年，台积电的林本坚博士终于攻破了光刻机193纳米技术难题，世界光刻机技术开始一路高歌，突飞猛进。

中国此时则刚刚开始193纳米光刻机的开发，已经远远落后于世界发达国家，经过了10多年的努力，中国在光刻机技术领域已有了长足的进步，但直到今天，在高端光刻机领域，仍然找不到中国的身影。

按说有着世界工厂之称的中国，制造业应该是比较发达的，可为什么制造高端光刻机却把我们给难住了呢？

如果关注一下我国制造业的讯息，不难发现，虽然在某些领域中，中国的制造水平能够进入世界第一梯队，甚至能够领先世界，但在很多方面，我们依然落后于发达国家良多。

尤其是高端材料制造业更是中国工业的短板，就拿高端光刻机中最核心、也是技术含量最高的零部件，光学镜片和光源来说，曾经的中国根本就没有能力制造。

更何况一台高端光刻机，拥有数万甚至十几万个精密零件组成，至今为止，世界上还没有哪个国家能够独立制造高端光刻机，即便是ASML公司也做不到。

ASML公司之所以能够迅速崛起，与西方发达国家的支持是密不可分的，该公司有一条十分睿智的规定，那就是想要获得该公司的优先供货权，就必须进行投资。

也就是说，世界上的发达国家或多或少都拥有ASML公司的股权，比如台积电，蔡司，三星，英特尔，海士力等，换句话说，整个西方世界都是该公司的后盾，据统计，该公司每年用于科研开发的资金就超过了4亿欧元。

即使强如ASML，其生产的高端光刻机也有90%以上的零件来自进口，比如最核心部分的EUV光源来自德国和美国，光学镜片来自蔡司公司，还有一些零件来自于日本，我国的台湾省等。

可以说ASML的成功是众多世界顶级企业一起努力的结果，所以它能够成为世界上唯一一个有能力制造7纳米EUV光刻机的公司，丝毫不会让人感到意外。

除了光学镜片和光源外，还有一种看起来不太起眼的材料，也严重制约了我国芯片制造业的发展，那就是光刻胶。

当然，光刻胶的技术含量远远比不上光学镜片和光源，但这并不代表着它不重要。

光刻胶性能越好，制造出的芯片质量越优，与其他高精尖零件不同的是，我国完全有能力制造高端光刻胶，即使不如日本，也相差不大。

可关键是，过去我国投资光刻胶生产的企业实在是太少了，国产的光刻胶根本无法满足中国市场的需求，因此我国的绝大部分光刻胶都要从日本进口，一旦日本限制出口量，对我国影响巨大。

由此可见，想要完全凭借本国一己之力，打造出一台高端光刻机有多困难，哪怕就是在去年，也有很多专家公开表示，中国想要独立制造高端光刻机的希望不大。

不过我国素来善于创造奇迹，尤其是在面对来自外界的压迫时，更能够爆发出让世界意想不到的力量，由于近几年美国对中国的制裁不断升级，中国不得不加大在芯片制造领域的投资力度。

随着时间的推移，中国在光刻机的关键技术领域都取得了喜人的成绩，不久前中科院传出一条喜讯，清华大学和联邦技术学院合作开发了一种新型粒子加速器，通过实验证明，这项技术完全可以为光刻机提供稳定可靠的EUV光源。

无独有偶，中科科美业同时传来喜讯，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置也于今年6月28日正式投入使用。

那么，镀膜技术跟光刻机又有什么关系？

首先我们要了解的是，EUV光刻机对光学镜片的光洁度要求相当之高，即表面光洁度不得超过50皮米，其困难程度不亚于制造一面方圆390000平方公里的镜子。

中科科美的这项镀膜技术，不但能够实现光学镜片的光洁度，还能实现光学镜片对光的反射、分束、分色、滤光以及偏振等在不同情况下的特殊要求。

这两大核心技术的突破，使我国在高端光刻机制造领域向前跨了一大步，相信假以时日，中国一定能够具备独立制造高端光刻机的能力。

当然，即便我们手里有了世界上最先进的光刻机，也不意味着中国能在芯片制造领域一骑绝尘，相比起这些硬件设备，有着“芯片之母”之称的EDA软件则更为棘手。

想要设计芯片，工程师离不开EDA软件，虽然由于有能力设计芯片的公司数量有限，造成EDA软件的市场并不是很大，但它却是制造芯片的第一步，离开EDA软件，即使拥有世界上最先进的光刻机，也不过是一推废铁而已。

现今世界上最大的EDA软件商有三家，分别是Synopsys、Cadence以及Mentor。

曾经他们垄断了超过80%的中国市场，不过自从受到美国制裁后，中国政府越发认识到，像这种买不到的核心技术，必须进行国产取代，才能最大限度地摆脱中国对发达国家的依赖。

近年来国家和一些大型企业如华为等，都在不断增加这方面的投资，只不过想要在技术上取得突破，仍然任重而道远。

华大九天作为国产EDA软件的老大，其制作的软件，也仅仅只能实现模拟芯片设计和平板设计全流程覆盖，覆盖率约为 40%。

此外，国际上最先进的EDA软件其工艺已经达到了2纳米，而国产软件最高端的也仅仅只有一款能够达到5纳米。

可以说在设计软件方面，发达国家已甩了我们好几条街，不过可以确定的是，华为事件发生之后，随着国家政策的倾斜，以及资本的关注，中国的EDA软件必会奋起直追，达到世界一流水平并不遥远。

总而言之，以美国为首的发达国家，之所以会联合起来对中国进行全方位的围追堵截，恰恰是因为中国已经有了威胁他们的资格，发达国家尤其是美国惧怕中国进一步发展，从而威胁到其世界霸主的地位，才会无所不用其极的遏制中国发展。

美国的一套组合拳确实给中国带来了很大麻烦，但这又何尝不是一个让中国优化产业结构，摆脱对发达国家依赖的机会？

正所谓危机、危机，危中有机，如果中国通过这次教训，能够认清现实，未尝不能转危为机！

以上就是关于中国首台7纳米光刻机(1977年中国已成功研制光刻机，有时间优势，为何没成为垄断巨头？)的所有内容，希望对你有所帮助。