很高兴有机会参与这个光刻胶是什么问题集合的讨论。这是一个多元且重要的话题，我将采取系统的方法，逐一回答每个问题，并分享一些相关的案例和观点。

负性光刻胶是什么意思

负性光刻胶是一种常用于微电子工业中的一种特殊光敏树脂，它是光刻技术中使用的一种基础材料。它的基本原理是，将光刻胶涂在待加工的芯片表面上，然后通过光刻机器对其进行光照暴曝。曝光后，待加工区域内的光刻胶会产生化学变化，使其变得可溶于显影液。在显影液的溶解作用下，待加工区域的光刻胶被移除，形成可以进行下一步加工的图形。

负性光刻胶广泛应用于微电子工业中的半导体制造、集成电路、微系统、光子学等领域。在这些领域中，常常需要利用光刻胶进行微米级、纳米级的图形加工。例如，在半导体工业中，光刻胶被用于制造芯片上各种器件的图形，例如场效应管、二极管、晶体管等，为后续工艺步骤打下基础。

相比其他类似材料，负性光刻胶具有工艺简便、成本相对较低、加工精度高等特点。另外，负性光刻胶不会被光照的区域侵蚀，因此能够得到清晰的图案。此外，与其他光刻胶不同的是，负性光刻胶可以制作出比光源的波长短很多倍的图案，这在一些微纳加工领域中具有独特的优势。

光刻胶是什么材料做的

光刻胶是增感剂、感光树脂、溶剂、助剂等材料合成的。

1、增感剂

是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。

2、感光树脂

用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。

3、溶剂

是光刻胶中最大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎无影响。其中溶剂质量占比最大，一般在80%以上。

4、助剂

通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质。质量占比虽不足5%，却是决定光刻胶特有性质的关键材料，包括光敏剂、表面活性剂等材料。

光刻胶发展历程：

光刻胶产业最早由欧美主导，日本厂商后来居上。1839年，第一套“光刻系统”重铬酸盐明胶诞生。此后经过百年发展，光刻胶技术开始成熟，1950S，德国Kalle公司制成重氮萘醌-酚醛树脂印刷材料，曝光光源可采用g线、i线。

1980S，IBM使用自研的KrF光刻胶突破了KrF光刻技术。随后，东京应化于1995年研发出KrF正性光刻胶并实现大规模商业化，因此迅速占据市场，这标志着光刻胶正式进入日本厂商的霸主时代。此后光刻技术仍在持续进步，ArF、EUV光刻胶先后问世。

2000年，JSR的ArF光刻胶成为半导体工艺开发联盟认证的下一代半导体0.13μm工艺的抗蚀剂。2001，东京应化也推出了自己的ArF光刻胶产品。2002年，东芝开发出分辨率22nm的低分子EUV光刻胶。JSR在2011年与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶。

光刻胶属于什么板块

光刻胶属于半导体板块。

光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。

按显示效果分类，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X?射线光刻胶等。

按行业分类，可分为PCB光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶。目前，中国本土光刻胶以?PCB?用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低，市场炒作以面板显示及半导体这块为主。

光刻胶的应用：

1、液体火箭发动机层板喷注器上金属板片型孔的双面精密加工，以及液体推进器预包装贮箱上的膜片阀金属片刻痕。

2、在金刚石台面上制备金属薄膜电极以及在偏聚二氟乙烯（PVDF）压电薄膜上制备特定尺寸和形状的金电极。

3、制作各种光栅、光子晶体等微纳光学元件。早在80年代中期，Ⅲ~Ⅴ族化合物光电子器件的制备就用到了激光全息光刻技术，其中研究最多的是用全息光刻直接形成分布反馈（DFB）半导体激光器的光栅结构。

4、医用领域还用光刻制造微针和生物芯片等微细医疗器件。

光刻胶有哪几种？有什么区别？

ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。

半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。

相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。

到了90年代末，半导体制程工艺发展到350mm以下，g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了，于是出现了适用于248nm波长光源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶，和g线、i线有质的区别。

随后的20年里，ArF光刻胶一直是半导体制程领域性能最可靠、使用最广泛的光刻光源。在21世纪以后，在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下，ArF光刻系统突破了此前65nm分辨率的瓶颈，在45nm到10nm之间的半导体制程工艺中，ArF光刻技术仍然得到了最广泛的应用。?

目前，国外晶圆厂主流工艺是14nm，中国大陆晶圆代工龙头企业中芯国际的制程是28mm，虽然三星和台积电已有10nm以下工艺技术，但尚未大规模应用。

光刻胶和光刻机有什么区别

区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上，然后在进行下一步，而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面，并要避免在硅片表面留下痕迹，需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此，光刻胶是光刻机研发的重要材料，而且它不止应用于芯片，在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

好了，今天关于“光刻胶是什么”的话题就讲到这里了。希望大家能够通过我的介绍对“光刻胶是什么”有更全面、深入的认识，并且能够在今后的实践中更好地运用所学知识。